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半导体|台积电Capex指引超预期 ，先进制程国产替代开启国产设备成长大周期
来源：中信证券研究 文|徐涛 夏胤磊 王子源
台积电2025年业绩创纪录 ，2026年资本支出大幅上调，表明了AI算力与先进制程带来的持续红利 。面对国内百万片级的先进产能缺口 ，国内晶圆厂正迎来扩产热潮 ，为设备市场释放出千亿美元的空间，且国产化率有望实现翻倍增长。基于先进制程与国产替代的双轮驱动 ，我们看好半导体设备的投资机遇 ，建议关注具备平台化能力的领军企业及高弹性细分龙头 。
▍台积电2025年凭借AI与3nm制程驱动实现业绩创纪录增长，2026年资本支出至520-560亿美元超市场预期 。
台积电于1月15日公告2025年业绩 ，2025年 ，台积电凭借AI浪潮下高效能运算（HPC）业务的强劲爆发（全年收入占比升至58%）以及3nm制程的全面规模化，实现了2025年营收1220亿美元（同比大幅增长35.9%）与毛利率近60%的卓越业绩。受益于AI算力需求强劲拉动 ，公司先进制程（7nm及以下）营收占比达77% ，其中3nm与5nm制程合计贡献63%的晶圆销售金额。2025年归属母公司净利润达1.72万亿元新台币，同比增长超30%，创历史新高 。
2025年公司资本支出达409亿美元 ，展望2026年 ，台积电给出了较为激进的资本支出（Capex）指引，公司预计2026年资本支出升至520亿至560亿美元 ，远超此前市场预期的450-480亿美元区间 ，其中70%-80%投向先进制程，10%-20%用于先进封装、测试与掩膜制造 。这一超预期投入不仅标志着2nm制程量产周期的提前开启 ，更反映了公司在CoWoS等先进封装领域加速扩产以应对日益紧缺的AI算力芯片需求的战略决心。
▍台积电Capex的超预期增长 ，侧面印证了全球AI算力需求仍处于需求旺盛的上升期，推动半导体设备需求的快速增长 。
根据EETIMES对2025年至2035年的全球半导体市场的预测 ，全球半导体销售额有望从2025年的680亿美元提升到2035年的1741亿美元 ，CAGR为9.9%；其中服务器 、数据中心和存储对半导体的需求将从2025年的156亿美元快速提升到2035年的826亿美元，CAGR为18.6% ，显著高于半导体整体 。
从产能看 ，EETIMES预计全球半导体制造产能有望从2025年的1120万片/月增长到2035年的1900万片/月，CAGR为5.4%。其中，在AI需求的拉动之下 ，7nm及以下的先进逻辑产能预计2025-2035年CAGR增速约15%；DRAM的产能2025-2035年CAGR增速约7% 。产能的快速扩张带动全球半导体设备市场规模持续增长 ，2024年全球半导体设备市场规模超1000亿美元（SEMI数据），2018~2024年CAGR为8.7%；SEMI预计2025年全球半导体设备市场规模将达到1210亿美元 ，而2026年市场规模有望继续增长至1390亿美元 ，主要受先进制程升级 、新兴市场需求（AI、自动驾驶等）及各国本土产能的快速扩张推动 。
▍国内形成“AI算力高增 ”与“先进制程国产替代 ”的双轮驱动格局，先进制程产能缺口在100万片以上。
根据SEMI的预测 ，全球7纳米及以下的先进逻辑制程产能在2024年约为每月85万片 ，并将在2028年增长至每月140万片 。其中，台积电和三星占据了绝大部分份额 。中国大陆在先进逻辑领域与世界领先水平还存在差距 ，根据SEMI ，我们测算当前国内7nm及以下产能仅占全球不足5%份额，但是按照SEMI数据 ，目前中国大陆半导体需求占全球约35% ，我们预计未来会逐步填补产能缺口，带来5~6倍的扩产空间。根据TrendForce数据，我们测算2025年全球存储芯片产能在350~400万片/月 ，国内产能占比仅为10%左右 ，而中国是全球最大的智能手机、PC和服务器市场，消耗了全球超过30%的存储芯片 。因此 ，存储领域的产能缺口仍然巨大 ，自给率不足，国内可拓展空间有2~3倍的产能 。因此我们预计未来国内先进制程（先进存储+先进逻辑）会持续扩产 ，逐渐填补国内百万片月产能以上的缺口 ，对应着数千亿美元的设备投资市场。
▍目前半导体设备国产化率仅30%左右，未来看到翻倍以上空间。
受到美国对华半导体设备出口逐渐增强的影响 ，国内主流晶圆厂为了应对供应链风险 ，正在积极构建“非美系”设备供应链，这为国产设备提供了一个快速成长的窗口期 。在本土晶圆厂的支持下 ，国产设备厂商获得产线验证和迭代机会 ，从去胶 、清洗等成熟环节，到刻蚀 、薄膜沉积（PVD/CVD）、化学机械抛光（CMP）等核心环节，国产设备正在加速从“能用 ”迈向“好用 ” ，从成熟制程向先进存储和先进逻辑产线不断渗透 ，国产化率持续提升 。国产化空间来看，根据中国招标网披露的设备采购情况测算 ，2022年设备国产率约18% ，我们预计2025年受益于DRAM和3D NAND存储产线的国产化率快速提升，国产化率有望提升至约30%；2026年有望提升至35%左右。未来我们预计国产化率逐渐提升至60%~70% ，带来国产化率翻倍的增长空间 。
▍风险因素：
全球宏观经济低迷风险；国际政治环境变化和贸易摩擦加剧风险；下游需求不及预期；AI创新不及预期；国产替代进程不及预期；国内晶圆厂扩产不及预期；先进制程技术发展不及预期；下游厂商竞争加剧；通胀导致的原材料涨价风险；制裁加码的风险；汇率大幅波动等 。
▍投资策略：
在AI浪潮和国产替代的双重驱动下 ，我们预计中国大陆为填补百万片以上的先进产能缺口而进行的持续性 、大规模投资。此外，在“国产替代”这一核心逻辑的加持下 ，国产设备厂商的需求变得更加内生和持续 ，其成长性摆脱了全球半导体周期的束缚，呈现出穿越周期的能力 ，为国产设备厂商带来长达5~10年的黄金发展期 。
建议重点关注在刻蚀 、薄膜沉积、清洗 、CMP等核心设备领域已实现技术突破 、获得头部客户验证、并具备平台化布局能力的龙头企业 ，以及在光刻 、涂胶显影 、量检测、测试等具备国产化率弹性的设备公司 。这些企业不仅将深度受益于本轮历史性的产业机遇，更有望在全球半导体设备市场中，成长为具有国际竞争力的国内厂商。建议关注行业代表性平台型公司 ，以及细分赛道龙头公司 、国产化率弹性公司 。
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